Spesifikasi Snapdragon 830 Terungkap, Gunakan Proses 10nm dan Tersedia Awal 2017

Sebelumnya kami telah melaporkan pembuat chip MediaTek telah mengumumkan chipset high-end terbaru miliknya yang bernama Helio X30. Setelah pengumuman itu, saingan berat MediaTek, yakni Qualcomm juga mengumumkan spesifikasi dari Snapdragon 830 yang ditujukan untuk smartphone flagship tahun depan. 



Sebelumnya chipset Snapdragon 830 sering disebut-sebut pada rumor yang beredar sebelumnya seputar spesifikasi handset high-end selanjutnya. Baru-baru ini pengguna micro bloging Weibo telah membocorkan informasi dari orang dalam bahwa Snapdragon 830 akan menggunakan proses manufaktur 10nm dan itu akan tersedia pada awal tahun depan. Kemungkinan besar, Qualcomm akan memperkenalkan Snapdragon 830 secara resmi pada akhir tahun 2016 ini. Diperkirakan, smartphone flagship selanjutnya yang akan menggunakan chipset tersebut adalah Samsung Galaxy S8 di tahun 2017 nanti. Rumor sebelumnya telah berspekulasi bahwa chipset Qualcomm Snapdragon 830 akan menggunakan proses 10nm FinFET dan arsitektur Kyro 200, mendukung GPU Adreno 540, X16 baseband yang diduga mampu mencapai kecepatan downlaod hingga 980Mbps dan memiliki memori LPDDR4X dan 4K × 2K / merekam video pada 60fps. Karena chipset Helio X30 dari MediaTek juga dikabarkan akan menggunakan proses 10nm yang sama, belum diketahui mana dari kedua chipset tersebut yang akan lebih unggul ketika diluncurkan nanti. Sejauh rumor yang beredar, kelebihan yang dimiliki Snapdragon 830 dapat mengurangi konsumsi daya berlebihan dan juga dapat memberikan kemampuan kontrol suhu panas.